传iPhone的LTE将大进步英特尔是赢家

2017-11-20 13:08 未知
  (中央社记者钟荣峰台北20日电)iPhone X开卖不久,市场已将目光转向明年新iPhone。外媒引述分析师预估,明年新iPhone将具备DSDS功能,LTE传输速度可大幅提升,英特尔(Intel)是基频晶片大赢家。
传iPhone的LTE将大进步英特尔是赢家
国外科技新闻网MacRumors引述凯基投顾分析师郭明錤报告指出,苹果西元2018年推出新一代iPhone机种,将搭配英特尔或高通(Qualcomm)新一代基频晶片,可让新一代iPhone的LTE传输速度更佳。

报导引述指出,新iPhone的LTE晶片可支援4x4多入多出(MIMO)天线技术,今年9月新推出的iPhone,支援2x2的MIMO天线规格,郭明錤认为这将大幅提升明年下半年新款iPhone在LTE传输速度。

观察明年新款iPhone基频晶片分布比重,报导引述郭明錤报告预估,英特尔提供的基频晶片,将占明年新款iPhone所需70%到80%比重,甚至更高。

郭明錤预期明年新款iPhone将进一步支援双卡双待DSDS(dual-SIM dual standby)功能,预期能具备LTE+LTE连结。报导指出,这意味新款iPhone内建的2张SIM卡,可透过一组晶片同时运作。

郭明錤日前报告推测,苹果明年下半年将推出3款新iPhone,分别是6.5吋与5.8吋的有机发光二极体(OLED)萤幕机种,与6.1吋的TFT-LCD萤幕机种。其中2款新OLED机种针对高阶市场,新款TFT-LCD机种针对中低阶市场。

郭明錤先前预期明年iPhone整体出货量可达2.45亿支到2.55亿支,年成长约10%到20%。

更多的手机热点资讯内容请关注 外城 网

※延伸阅读:
手机热点资讯:xiniPhone X竟怕冷!萤幕在0℃以下会冻僵 责任编辑:Fanny
::before